展起来的）
再使用湿氧化方法，在硅片上生长设定厚度（如约微米）的二氧化硅层，作为制造p型区的掩蔽层随后光刻p型区
接着，光刻出nmos晶体管的p阱区和pmos晶体管的源、漏区后，使用氮化硼片作掺杂源进行硼预淀积
在淀积硼以后，进行杂质推进扩散，形成nmos晶体管的p阱，在推进扩散的同时，也进行干氧化，接着进行湿氧化预定时间（如20分钟），该二氧化硅层作为光刻n型区的掩蔽层
如光刻出n型掺杂区，然后进行磷掺杂扩散，形成nmos晶体管的源、漏区；
在磷扩散以后，进行湿氧化预定时间（如20分钟），该二氧化硅层用以制造nmos和pmos栅氧化区的的掩蔽层；
光刻出nmos和pmos晶体管的栅区，然后使用干氧化方法，生成设定厚度的栅二氧化硅层（如500纳米制程），”